b. All resists designed for use with electron beams or ion beams, with a sensitivity of 0.01 µcoulomb/mm2 or better;
ب - جميع المواد المقاومة المصممة للاستعمال مع الحزم الإلكترونية أو الحزمالأيونية، والتي تبلغ حساسيتها 0.01 مايكروكولمب مم2 أو أفضل؛
Bottom cable systems Conventional Section: p. 231, 6.A.1.a.2.e.
ب - جميع المواد المقاومة المصممة للاستعمال مع الحزم الإلكترونية أو الحزمالأيونية، والتي تبلغ حساسيتها 0.01 مايكروكولمب مم2 أو أفضل؛
Bathymetric survey systems Conventional Section: p. 228, 6.A.1.a.1.a.
المعدات المصممة خصيصا لصنع الأغشية أو معالجة أجهزة أشباه الموصلات باستخدام الحزمة الإلكترونية المركزة المنحرفة، أو الحزمةالأيونية أو الحزمة “الليزرية”، والتي يتوافر فيها أي مما يلي:
B. 1. f. Equipment specially designed for mask making or semiconductor device processing using deflected focussed electron beam, ion beam or "laser" beam, having any of the following:
باء - 1 - و - 2 المعدات المصممة خصيصا لصنع الأغشية أو معالجة أجهزة أشباه الموصلات باستخدام الحزمة الإلكترونية المركزة المنحرفة، أو الحزمةالأيونية أو الحزمة “الليزرية”، والتي يتوافر فيها أي مما يلي: